深圳MT8006

MT8006是一种基于P_subP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动电路。浮动沟道驱动器可独立驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT。Ich可操作多达300 V逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动程序具有高脉冲电流缓冲级，用于最小驱动程序c。Ross-导通。传播延迟匹配以简化高频应用中的使用。它有两个版本MT8006A和MT8006B。