晶体管测试仪|晶体管测试仪主要技术参数 系统主要技术参数列表如下： 主极电压 2000V(加选件可扩展至3300V) 主极电流 50A(加选件可扩展到100A至2500A) 控制极电压 20V(加选件可扩展到80V) 控制极电流 10A(加选件可扩展到40A) 电压分辨率 1mV 电流分辨率 100pA(加选件可扩展到1pA) 测试速度 5ms/参数 3300V、2500A以上可订制 可测试器件种类 该系统是专为测试大功率半导体分立器件而设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下19个类型的半 导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列： 器件测试种类 二极管 DIODE 稳压（齐纳）二极管 ZENER 晶体管 TRANSISTOR(NPN/PNP) 单向可控硅（普通晶闸管） SCR 双向可控硅（双向晶闸管） TRIAC 金属－氧化物－半导体场效应管 MOSFET(N-CH/P-CH) 结型场效应管 JFET(N-CH/P-CH) 三端稳压器 REGULATOR(正电压／负电压，固定／可变） 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT(N-CH/P-CH) 光电耦合器 OPTO-COUPLER(NPN/PNP) 达林顿阵列器件 DARLINTON 光电开关管 OPTO-SWITCH 继电器 RELAY(A,B,C型） 金属氧化物压变电阻 MOV 压变电阻 VARISTOR 智能功率模块 IPM 集成功率模块 PIM晶体管测试仪|晶体管测试仪