陕西半导体分立器件测试系统生产厂家1、设备功能 适用于二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、IGBT、整流桥、可控硅、光耦等十三大类半导体分立器件全静态参数测试 2、运行条件 温度：25±5℃ 相对湿度：<60%，在/或低于30℃ 通风条件：设备四面距离墙面大于5cm 交流电源：220V±10%，47-63Hz，良好的测试仪器接地 3、可测试器件种类及参数 ①二极管：DIODE 测试参数：IR、BVR、VF ②晶体管：TRANSISTOR(NPN 型、PNP型) 测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON) ③稳压（纳）二极管：ZENER 测试参数：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF ④结型场效应管：J-FET(N-沟/P-沟，耗尽型/增强型) 测试参数：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS ⑤MOS 场效应管：POWER MOSFET(N-沟／P-沟） 测试参数：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS ⑥三端稳压器：REGULATOR(正电压／负电压，固定／可变） 测试参数：VOUT、IIN ⑦光电耦合器：OPTO-COUPLER(NPN 型PNP 型） 测试参数：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF ⑧可控硅整流器（普通晶闸管）SCR 测试参数：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH ⑨双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC 测试参数：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT 1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH- ⑩绝缘栅双极大功率晶体管：IGBT(NPN 型PNP 型） 测试参数：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF ⑾继电器：RELAY 测试参数：RCOIL,VOPER,V