深圳市海美思信息技术有限公司
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产品详情
Product details4N60是一款高压MOSFET，专为此而设计具有更好的特性，如切换时间快，门极低充电，低导通电阻和高崎岖的雪崩特点。该功率MOSFET通常以高速度使用开关应用在电源，PWM电机控制，高的DC到DC转换器和桥接电路。4N60特征有：RDS（ON）=2.5Ω@VGS=10V，超低栅极电荷（典型15nC）等，4N60采用TO251和TO252封装形式
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Contact Us- 联系人姓名：黎小姐
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