9926A 是双N沟的场效应管，参数为20V/4.5A/1W，封装形式是SOP8，总栅极电荷是11n，典型应用于记本电脑的电源管理、便携式设备、直流/直流转换器、负荷开关、DSC、液晶显示转化器。
3401L是P沟道增强型MOS场效应管芯片。它的特点：有高级的加工技术，极低的导通电阻高密度的单元设计。封装形式：SOT23-3。
SI2302是三极管的一种，属于增强模式场效应晶体管。晶体管类型 ：N沟道MOSFET ，最 大功耗PD ： 1.25W ，栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值），漏源电压VDS ：20V（极限值
APM4953是双P沟道MOSFET。内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS（ON），适合用LED显示屏，LED显示器驱动，也可用来做负载开关或PWM开关。APM495
SI2302是二三极管的一种，属于增强模式场效应晶体管主要参数：晶体管类型：：Ｎ沟MOSFET,最 大功耗PD：1.25W，栅极门限电压VGS:2.5V（典型值），漏源电压VDS：20V（极限值）漏极
AMSMB10F贴片整流桥堆主要参数：0.46芯片尺寸，封装形式：MBF，耐压值1000V,功率是：20W,应用于小电流领域产品：小功率开关电源，充电器，电源适配器，LED灯整流器等相关电器产品。本产
LM358系列包含两个独立的、高增益的内部频率补偿的双运算放大器，适用于电压范围很宽的单电源，而且也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。它的特点在线性模式里，即使只有一个
LM339是四电压比较器集成电路。它的特点：工作电源电压范围宽，单电源、双电源均可工作，单电源： 2～36V，双电源：±1～±18V；消耗电流小， Icc=1.3mA；输入失调电压小， VIO=±2m
JRC4558 器件是一款专门为双运算放大器设计的单片集成电路。高共模输入电压范围和无闭锁功能使这款放大器成为电压输出跟随器应用最 理 想的选择。该器件的短路保护功能和内部频率补偿使其无需外部原件便可
817系列是SMD光学耦合隔离器，其中含有砷化镓发光二极管和NPN硅光电晶体管.。它的特点:电流传输比(CTR:50 ~ 600% at IF = 5mA,VCE = 5V)，输入间的高隔离电压，输出
NE555 是一块通用时基电路，它是一种将模拟信号与逻辑功能相结合的模拟集成电路。能够产生精准的时间延时和振荡。这种定时电路可应用于电子控制，电子检测和电子警报等许多方面。例如，由它可构成精准的的计时
SI2300是N沟道的MOS管。封装形式：SOT23，它的特征：电压20V，电流5.4A，最 大功耗PD ： 1.25W，漏源电压VDS ：20V（极限值）漏极电流ID：TA=25°时：5.4A，TA
78L系列是一种固定电压三端集成稳压器,其适用于很多应用场合.象牵涉到单点稳压场合需要限制噪声和解决分布问题的在-卡调节.此外它们还可以和其它功率转移器件一起构成大电流的稳压电源,如可驱动输出电流高达
AMS6206是一种用于电池供电设备的250mA超低静态电流CMOS低退学(LDO)调节器。固定的输出电压为1.5v、1.8V、2.5v、2.8V、3.0V、3.3V和3.6V。其他的特性还包括50μ
