一、硅外延的定义 硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。 二、硅外延生长工艺的优点 1、 生长温度比它本身的熔点要低 2、 可以获得纯度高、缺陷少的单晶薄层 3、 由于掺杂工艺灵活，可以获得多种结构的单晶或多层外延便于器件参数结构的调整 三、硅外延工艺的分类 1、 按结构分类 同质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料相同，例如N/N+，P/P+ 异质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料不同，例：SOI(绝缘衬底上外延) 2、 按外延层的厚度和电阻率分类 厚度和电阻率均可按客户要求控制 3、 按外延生长方法分类 直接法——不经过中间化学反应，硅原子直接从源转移到衬底片上形成外延层，例：真空溅射法，分子束外延（物理法）液相外延等等 间接法——通过还原或分解硅化合物得到所需要的硅原子，然后在衬底上淀积形成外延层，我们的硅外延就属于间接生长工艺