砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁

一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3

人工合成的化合物半导体材料。 外观：橙红色透明晶体。 磷化稼是一种由n从族元素镶(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。

一、硅外延的定义 硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。 二、硅外延

镀金硅片 现货供应镀金硅片镀铂硅片，或按客户要求定制，厚度可以自由选择 2寸现货 请联系我们。哈尔滨特博科技有限公司--实验室专业供应商 应用 硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有着惊人的运算能

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单晶硅片：硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电

可根据客户要求量身定制各种规格，品质优良，价格低廉，供货迅速： 1. 外形尺寸： 2"

提供CdZnTe（CZT） wafer ： 尺寸（Size）: 20*25mm*1mm 表面（surface）：Polished The CZT wafer can be us

哈尔滨特博科技有限公司专业供应8寸热氧化硅片，其他尺寸也可以按客户要求提供，氧化厚度 可严格按客户要求，日本进口，价格优势。氧化厚度1000A 2000A 3000A 5000A 700

单壁高纯碳纳米管 产品基本参数 纯度：>90% 外径：1-2nm [OD=Outer Diameter] 内径：0.8-1.6nm [ID=Inner D

主要参数： 产品 纯度 粒度 比表面积 松装密度 外观颜色 纳米Ag 99.9% 50nm 5㎡/g 0.4g/cm3 灰色 主要用途 导电

主要参数： 产品 纯度 粒度 比表面积 松装密度 外观颜色 纳米W 99.9% 50nm 5㎡/g 2.5g/cm3 紫色

主要用途 ★ 金属和非金属的表面导电涂层处理 纳米铜粉体有高活化表面，在无氧 条件下可在低于粉体熔点的温度实施涂层。应用于微电子器件的生产。 ★ 催化剂 铜及其合金纳米粉体用作催化剂，

主要参数： 产品 纯度 粒度 比表面积 松装密度 外观颜色 纳米Fe 99.9% 50nm 9㎡/g 0.35g/cm3 黑色 主要用途 纳

主要用途 1、广泛应用于制造耐磨材料、切削刀具、模具、熔炼金属坩埚等诸多领域 透明碳化钛陶瓷又是良好的光学材料。 2、磨料和磨具行业碳化钛磨料是替代氧化铝、碳化硅、碳化硼、氧化铬等传统研

产品介绍 性能特点：本产品纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，高表面活 性，松装密度低，具有极好的力学，热学，电学和化学性能，即具有高 硬度，高耐磨性和良好的自润滑，高热传导率，低热膨

产品介绍 本产品纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、高表面活性，松装密度 低,、具有耐高温、抗氧化、强度高、硬度高、导热性良好，韧性好，碳 化锆是一种重要的高熔点、高强度和耐腐蚀的高

主要参数： 产品 纳米Mo 纯度 99.9% 粒度 40nm 比表面积 6㎡/g 松装密度 0.2g/cm3 紫色 外观颜色

主要参数： 产品 纯度 粒度 比表面积 松装密度 外观颜色 纳米Al 99.9% 50nm 30㎡/g 0.15g/cm3 黑色 主要用途

产品介绍 本产品纯度高，粒径小，比表面积大，表面活性高，紫外光屏蔽大于 80％以上，有很好的阻隔性能。该材料具有良好的导电性，可用作熔 盐电解的电极和电触头等导电材料。用于增韧陶瓷以及

产品介绍 本产品纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，表面活性高，松装密 度低，紫外线反射率为90%以上和吸收红外波段的吸收率在97%以上，器 件的成瓷温度低，尺寸稳定性好，机械强度高

纳米氮化锆 100nm 99.9% 技术参数 产品归类 型号 平均粒径（nm） 纯度（%） 比表面积（m2/g） 体积密度（g/cm3） 晶型 颜色 纳米级 DK-ZrN-001 100 >99.9