砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁

一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3

人工合成的化合物半导体材料。 外观：橙红色透明晶体。 磷化稼是一种由n从族元素镶(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。

一、硅外延的定义 硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。 二、硅外延

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单晶硅片：硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电

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单壁高纯碳纳米管 产品基本参数 纯度：>90% 外径：1-2nm [OD=Outer Diameter] 内径：0.8-1.6nm [ID=Inner D

主要参数： 产品 纯度 粒度 比表面积 松装密度 外观颜色 纳米Ag 99.9% 50nm 5㎡/g 0.4g/cm3 灰色 主要用途 导电

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主要用途 ★ 金属和非金属的表面导电涂层处理 纳米铜粉体有高活化表面，在无氧 条件下可在低于粉体熔点的温度实施涂层。应用于微电子器件的生产。 ★ 催化剂 铜及其合金纳米粉体用作催化剂，

主要参数： 产品 纯度 粒度 比表面积 松装密度 外观颜色 纳米Fe 99.9% 50nm 9㎡/g 0.35g/cm3 黑色 主要用途 纳