应用领域：极大规模集成电路制造专用设备，工艺时间短，生产效率高，具有出色的工艺性能，达到国际先进水平。产品优势：1、晶片直径8英寸2、产能（片/批次）150片3、晶片高速搬送系统，实现高吞吐量4、精密

应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，可用于2-6英寸工艺尺寸。

LPCVD产品应用：用于4-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅（或LTO）、SIPOS薄膜生长工艺及其掺杂（如PSG或BPSG等）

　　采用闭管扩散的方式。碳化硅浆把石英舟放入石英管后再退出石英管，保证整个工艺过程完全不受外界环境干扰。系统整机清洁降低了石英制品清洗的频次。控制终端采用专业工控机配备进口温控仪表、质量流量计及完善的

　该设备用于在真空条件下，在铜箔上生产石墨烯薄膜。特点：一次可以完成长度数百米米,宽度20-30cm的薄膜的生产。

该设备主要用于纳米材料如石墨烯薄膜生长、碳纳米管阵列生长等，以及晶片表面生长多晶硅、氮化硅、扩散、氧化、退火等工艺

　该设备用于在真空条件下，在铜箔上生产石墨烯薄膜。特点：一次可以完成长度数百米米,宽度20-30cm的薄膜的生产。

　该设备用于在真空条件下，在铜箔上生产石墨烯薄膜。特点：一次可以完成长度数百米米,宽度20-30cm的薄膜的生产。

青岛赛瑞达电子装备股份有限公司该设备主要用在Si片表面生长氮化硅薄膜。特点：40KHZ中频等离子体，加热，真空。

用于200-600度的低温热处理，可以配置N2，H2，O2。特点：低温炉体，温控相响应快，可以实现快速降温，快速升温。

　该设备用于在真空条件下，在铜箔上生产石墨烯薄膜。特点：一次可以完成长度数百米米,宽度20-30cm的薄膜的生产。

用于200-600度的低温热处理，可以配置N2，H2，O2。特点：低温炉体，温控相响应快，可以实现快速降温，快速升温。

采用箱式结构，加热箱体可移动，下部配有料车，可实现2工位率工作。加热体采用硅钼棒，可加热到1500℃，用于蓝宝石退火工艺。

青岛赛瑞达电子装备股份有限公司用于半导体工艺中氧化、扩散炉系列的加热炉体。可定制3段温区、5段温区。

LEC单晶炉是采用液体封装CZ法（Liquid EncapsulatedCzochralski）拉晶，属于硬轴提拉式单晶炉。该设备操作方便，采用独特的扒渣和加料机构，减少开门次数，以提升棒料纯度及生产

炉体温控控制在900到1300℃，温度高精度可控，VB具有晶体和加热炉体分别单独升降；HB水平高精度移动等控制，运动速度0.01--50mm/小时可调，有效完成砷化镓晶体生长。

炉体温控控制在900到1300℃，温度高精度可控，VB具有晶体和加热炉体分别单独升降；HB水平高精度移动等控制，运动速度0.01--50mm/小时可调，有效完成砷化镓晶体生长。

炉体温控控制在900到1300℃，运动速度0.01--50mm/小时可调，使晶棒内部晶体重新排列。特点：炉体冷区和热区之间采用独特设计，可以达到15℃/cm的温度梯度。

 LPE液相外延炉采用进口稳定可靠的智能仪表，能够实现整个工艺过程的自动控温。以进口直线电机为主体，系统定位且无抖动，加速度大能快速启动，可快速精准的将生长材料移动至下一个生长点。 

 LPE液相外延炉采用进口稳定可靠的智能仪表，能够实现整个工艺过程的自动控温。以进口直线电机为主体，系统定位且无抖动，加速度大能快速启动，可快速精准的将生长材料移动至下一个生长点。 

青岛赛瑞达电子装备股份有限公司是集高新技术装备的研发、生产、销售为一体的专业厂家，产品覆盖半导体、光伏、LED、新能源、新材料等领域，公司于2005年注册成立，属于国家高新技术企业。  主要

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