碳化硅（SiC）器件动态参数测试系统本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试，通过计算机控制，示波器采集波形，由计算机处理数据并显示测试结果。 主要技术参数： 测试产品：SiC FRD,MOSFET（兼容Si基产品） 测试能力： a、开关时间测试 测试条件：ID：1A~1000A，VDS:5V~3500V，VGS:-10V~20V，Rg：手动可调，阻性，感性负载 可切换 测试参数：td（on）\tr\td（off）\tf：.01nS-200nS，Eon\Eoff：10uJ~100mJ B、反向恢复特性测试 测试条件：IF:1A~1000A,VR:5V~3500V, di/dt:50A/us~10000A/us 测试参数：trr：0.1nS-200nS，QC：1nC~1uC，lrm：1A~200A，Erec：0.1uJ~1mJ C、短路电流测试 测试条件：Pulse width：1us~100us，VDS：5V~3500V 测试参数：Peak ID:10A~1000A,Delta Vds：10V~200V碳化硅（SiC）器件动态参数测试系统