碳化硅（SiC）器件动态参数测试系统本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷
陕西碳化硅器件测试仪1、设备功能 适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九类半导体分立器件全静态参数测试
西安静态参数测试系统供应商技术特征 采用32位嵌入式计算机，运行速度快，扩展能力强，实现脱机运行 采用高速16位并行D/A、A/D和专用并行内部总线技术设计，速度快、稳定性高 采用脉冲法测试参数
陕西半导体分立器件测试系统生产厂家1、设备功能 适用于二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、IGBT、整流桥、可控硅、光耦等十三大类半导体分立器件全静态参数测试 2、运行条件 温度：25
晶体管测试仪|晶体管测试仪主要技术参数 系统主要技术参数列表如下： 主极电压 2000V(加选件可扩展至3300V) 主极电流 50A(加选件可扩展到100
雪崩测试仪供应商一、概述 用于二极管、三极管、MOS管及IGBT等器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流可达到200A，雪崩电压测试可达到5000V。设备满足电压在5000V及以下范围内二极管、
三极管测试仪服务1、设备功能 适用于传统硅基及SiC二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九 大类半导体分立器件全静态参数测试。
碳化硅功率器件动态参数测试系统适用碳化硅二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数测试。主要技术参数：IGBT 开关特性测试
西安动态参数测试仪销售适用碳化硅二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数测试。主要技术参数：IGBT 开关特性测试
分立器件动态参数测试系统适用碳化硅二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数测试。主要技术参数：IGBT 开关特性测试
半导体分立器件动态参数测试系统生产商适用碳化硅二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数测试。主要技术参数：IGBT 开关特性测试
西安功率器件动态参数测试仪适用碳化硅二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数测试。主要技术参数：IGBT 开关特性测试
功率器件动态参数测试<p> 适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。<br/>主要技术参数：IGBT开关特性测试 <br/>
陕西碳化硅测试仪器生产商<p>适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。<br/>主要技术参数：IGBT开关特性测试 <br/>开关时间测试条件
碳化硅器件测试销售<p>主要技术参数：IGBT开关特性测试 <br/>开关时间测试条件<br/>Ic：50A～1000A &a
