碳化硅器件动态参数测试台<p>&nbsp; &nbsp;适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。<br/>主要技术参数：IGBT开关特性测试 <br/>开关时间测试条件<br/>Ic：50A～1000A&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; Vce：200V～2000V<br/>Vgs：-10V～＋20V&nbsp; Rg：1R～100R可调(可选择4档及外接)<br/>负载：感性负载阻性负载可切换<br/>电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH<br/>电阻范围：0.5R、1R、2R、4R<br/>IGBT开关特性测试参数<br/>开通延迟td(on): 20nS -10uS&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<br/>上升时间tr:&nbsp;&nbsp;&nbsp; 20nS -10uS<br/>开通能量Eon：&nbsp; 0.1-1000mJ&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<br/>关断延迟时间td(off)：20 nS -10uS&nbsp; &nbsp;<br/>下降时间 tf： 20nS -10uS&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<b